Производители на SiC пластини: Глобален списък с доставчици и как да изберете

Jul 14, 2026

Субстратите от силициев карбид (SiC) идват от доста кратък списък от компании в Съединените щати, Европа, Япония и Китай. Добре известни доставчици включват Wolfspeed, Coherent (бивш II-VI), SiCrystal (ROHM group), Resonac, SICC и TankeBlue. Някои големи производители на чипове отглеждат SiC предимно за собствените си устройства и продават малко на свободния пазар.

Тази страница е публикувана от Zhonggui Semiconductor, която също продава SiC пластини. Списъкът по-долу е по азбучен ред и не е класация.

Производителите на SiC устройства и производителите на SiC пластини са различни

Много списъци с "топ SiC" смесват две групи. Компании като Infineon, Toshiba и Nexperia продават SiC MOSFETs и диоди, но закупуването на чиста SiC пластина от тях не е опция. Таблицата по-долу обхваща компании, които отглеждат SiC кристали и продават или произвеждат субстрати. Някои от тях, като onsemi и STMicroelectronics, също са производители на устройства, които използват по-голямата част от своя собствен субстрат.

Диаметърът се движи от 150 мм (6 инча) до 200 мм (8 инча) за захранващи устройства. 100 mm (4 инча) все още се използва широко в изследванията и за полуизолиращи RF субстрати.

Производителите на SiC пластини с един поглед

Компания Главен офис Бележки (публично известни)
Coherent Corp. (предишен II-VI, преименуван през 2022 г.) Saxonburg, Пенсилвания, САЩ Проводими (n-тип 4H) и полуизолационни SiC субстрати с диаметри до 200 mm, включително 150 mm и 200 mm
дъх Скотсдейл, Аризона, САЩ Отглежда були от SiC след закупуването на GT Advanced Technologies през 2021 г., главно за собствените си захранващи устройства
Resonac (бивш Showa Denko, преименуван 2023) Токио, Япония Най-известен със SiC епитаксиални пластини за захранващи устройства, отглеждани върху SiC монокристални субстрати, които също прави
SICC Co., Ltd. Джинан, Шандонг, Китай Проводими и полуизолационни SiC субстрати; 150 mm и 200 mm проводими субстрати
SiCrystal GmbH (ROHM group) Нюрнберг, Германия Производител на SiC субстрат, собственост на ROHM; доставя ROHM и външни клиенти, включително 150 мм пластини по дългосрочно споразумение със STMicroelectronics
STMicroelectronics Женева, Швейцария Разработване и производство на SiC субстрат в Norrköping, Швеция (бивш Norstel, придобит през 2019 г.) и Катания, Италия, главно за собствените си устройства
ThinkBlue Пекин, Китай Проводими SiC подложки в 100, 150 и 200 mm; полуизолационни през 100 и 150 мм
Wolfspeed (бивш Cree, преименуван 2021) Дърам, Северна Каролина, САЩ 4H n-тип SiC субстрати в 150 mm и 200 mm, плюс SiC епитаксиални пластини. Завърши финансово преструктуриране по глава 11 през септември 2025 г. и продължава да работи
Zhonggui Semiconductor (издател на тази страница) Янджоу, Дзянсу, Китай 4H и 6H SiC пластини; виж по-долу

Информация към октомври 2026 г. Продуктовите линии, диаметрите и собствеността се променят, така че проверете текущите подробности с всеки доставчик, преди да поръчате.

Как да изберем доставчик на SiC пластини

Офертата за SiC е сравнима само ако спецификацията зад нея е пълна. Първо поправете тези точки.

Контролен списък със спецификации

  • Политип.4H-SiC е стандартът за захранващи устройства. 6H-SiC се използва главно в изследванията и някои по-стари оптоелектронни работи. Вижте нашите бележки за4H-SiC пластини.
  • Проводимост и добавка.N-тип (допирани с азот) за силови устройства; полуизолиращ (легиран с ванадий или с висока чистота) за GaN-on-SiC RF. Дайте диапазона на съпротивлението, от който се нуждаете.
  • Степен.Производствените, изследователските и фиктивните степени се различават по граници на дефекти и цена. Имената на оценките не са стандартизирани, така че сравнете числата зад тях.
  • Спецификации на дефекта.Плътността на микротръбите (MPD) е водещата цифра. За захранващи устройства попитайте също за дислокации в базалната равнина, дислокации на резбови винтове и използваема площ.
  • Ориентация и отрязък.Проводимите 4H субстрати за епитаксия обикновено са 4° извън оста към <11-20>. Полуизолационните пластини често са на оста. Държавен ъгъл и толерантност.
  • Диаметър, дебелина и плоскост.100, 150 или 200 mm; толеранс на дебелината; TTV, лък и основа.
  • Повърхностно покритие.Коя повърхност е полирана (Si-face или C-face), дали е CMP epi-ready и спецификацията на грапавостта.
  • MOQ и време за изпълнение.Големите доставчици често разпределят 150 mm и 200 mm капацитет на дългосрочни клиенти. Попитайте какво има на склад.
  • Документация.Данни за пластина за съпротивление, MPD и плоскост, плюс сертификат за съответствие.

Въпроси, които да зададете на доставчик

  1. Вие сами ли отглеждате булетата или преработвате вафли, отгледани другаде?
  2. Какви лимити за MPD и други дефекти се прилагат за класа, който цитирате?
  3. Мога ли да видя примерен доклад за всяка вафла и карта на дефектите?
  4. Какъв е срокът за изпълнение на стокови вафли и за дебелина по поръчка или изрезка?
  5. Каква е минималната поръчка и продавате ли единични вафли или нарязани на кубчета?
  6. Как се опаковат вафлите за изпращане?

Където се вписва Zhonggui Semiconductor

Zhonggui Semiconductor е основана през 2009 г. в Yangzhou, Jiangsu, Китай, и е сертифицирана по ISO 9001. Извършваме рязане, шлайфане, скосяване и CMP полиране вътрешно с окончателна обработка в чиста стая клас 100. Общата продукция е около 10 000 вафли на месец в нашите материали.

За SiC доставяме 4H и 6H пластини. Това ни прави практичен вариант за изследователски лаборатории, университети и по-малки компании, които се нуждаят от скромни количества или персонализирани спецификации. Ако имате нужда от голям обем доставка за производствена линия, свържете се и с по-големите доставчици в таблицата по-горе и сравнете офертите. Поръчките се изпращат от FedEx.

Вижте нашитеГама SiC вафлииСпецификации на 4H-SiC пластина, илиизпратете ни вашата спецификацияза цитат. Ние също доставямеInP вафли.

ЧЗВ

Кои компании произвеждат SiC вафли?

Wolfspeed, Coherent, SiCrystal (ROHM group), Resonac, SICC и TankeBlue са сред най-известните. onsemi и STMicroelectronics също отглеждат SiC, най-вече за собствените си устройства.

4H или 6H SiC по-добър ли е?

Зависи от употребата. 4H-SiC има по-висока подвижност на електроните и е стандартът за мощни MOSFET транзистори и диоди. 6H-SiC се използва най-вече в научни изследвания и някои наследени приложения.

Какво е плътност на микротръбата?

Микротръбите са кухи винтови дислокации, които преминават през кристала и могат да убият устройство. Плътността на микротръбите се брои на cm², а по-ниските стойности означават по-висок дял на използваемата матрица.

Защо SiC пластините струват много повече от силициевите пластини?

SiC кристалите растат бавно при много висока температура и материалът е труден за нарязване и полиране. Добивите са по-ниски, отколкото при силиций, особено при по-големи диаметри.