Силиконова микроелектронна пластина

Силиконова микроелектронна пластина

Тази серия силиконови субстрати е щателно проектирана, за да осигури най-добрата физическа и електрическа основа заинтегрални схеми-за специфично приложение (ASIC)и дискретни захранващи устройства. Покривайки пълния спектър от2-инча (50 мм) до 12-инча (300 мм), нашата материална архитектура се фокусира върху елиминирането на подповърхностни повреди и нередности на решетката, като гарантира, че пластината действа като първичен гостоприемник по време на имплантиране на високо-енергийни йони и много-слоен епитаксиален растеж.

Основни технически предимства:

Термична-механична устойчивост:Проектиран да оцелее и при най-наказателнитетоплинни бюджети, тези субстрати поддържат своята структурна цялост и плоскост чрез повтарящи се цикли на високо-температурно окисление и бързо термично отгряване (RTA). Тази устойчивост предотвратява приплъзване и изкривяване на решетката, осигурявайки под-микронна точност на подравняване за логика с висока-плътност иЗахранване IC (IGBT/MOSFET)измислица.

Разширена повърхностна морфология:Всяка вафла се подлага на собственаХимическа-механична планаризация (CMP)за постигане на ултра-ниска грапавост на повърхността и оптимизирана хидрофобност. Тази превъзходна морфология улеснява по-широк прозорец на процеса за фотолитография, позволявайки формирането на критични характеристики с висока прецизност и намалена намеса-на краищата.

Стратегическа пакетна синхронизация:За да поддържаме непрекъснатите производствени нужди на глобалните леярни, ние внедрявамевисоко{0}}прецизен допинг контроли управление на прага на кислород/въглерод. Тази синхронизация гарантира, че профилите на съпротивлението остават идентични в множество производствени серии, директно преобразувайки се в стабилизирани прагови напрежения и подобренидобив-ниво на вафла (WLY)за индустриална и автомобилна електроника-.

Популярни тагове: силиконова микроелектронна пластина, Китай силициева микроелектронна пластина производители, доставчици, фабрика