Силициево вафлено тяло

Силициево вафлено тяло

Нашите полупроводникови тела-от силициеви пластини са проектирани да поддържат изключителнитермомеханична стабилностпо време на най-строгите производствени последователности. Покриване на пълния индустриален спектър от2-инча (50 мм) до 12-инча (300 мм), тези субстрати функционират като платформа с висока-прецизност за много-пластови архитектури на устройства, като се гарантира, че всеки микрон материал допринася за крайната ви производителност на чипа.

Диференцирани технически предимства:

Характеристики на балансирана решетка:Проектирани за превъзходна производствена точност, нашите пластини са оптимизираниСъдържание на интерстициален кислород (Oi) и въглерод. Този вътрешен баланс предотвратява термичното утаяване и приплъзването на решетката по време на високо-температурна дифузия и бързо термично отгряване (RTA), като значително намалява вариациите при обработката.

Надеждна работа на място:Проектиран да работи постоянно при стандартни и усъвършенствани условия на чиста стая, нашият материал осигурява повтарящи се електрически профили-като прецизно съпротивление и мобилност на носителя-във всяка партида.

Геометрична точност за добив:Всяко тяло на пластина е проверено засуб{0}}микронна обща вариация на дебелината (TTV) и деформация, минимизиране на отклонението на фокуса при усъвършенствана фотолитография. Тази структурна цялост е от решаващо значение за постигане на висок-добивЗахранващи интегрални схеми (IGBT/MOSFET), радиочестотна микроелектроника и MEMSизмислица.

Популярни тагове: тяло на силиконова пластина, Китай силициева пластина тяло производители, доставчици, фабрика