Структура на силиконова пластина

Структура на силиконова пластина

Нашите полупроводникови{0}}силициеви пластинови структури са проектирани на атомно ниво, за да улеснят силно контролираното производство в цялата50 мм до 300 мм (2-12 инча)спектър на диаметъра. Чрез използване на напредналиCzochralski (CZ) и Float Zone (FZ)методологии за издърпване на кристали, ние гарантираме чиста решетка без-дефекти, която служи като хост с висока-интегритет за епитаксиален растеж и йонна имплантация с високи-дози.

Основни диференцирани предимства:

Хомогенност-ниво на решетка:За разлика от хибридните-материали, нашите вафли се отличават с ултра-еднакви вътрешни свойства-специфично контролирано съдържание на кислород и въглерод в интерстициала. Това предотвратява топлинно утаяване по време на летливо високо-вакуумно отгряване, осигурявайки предвидими електрически профили заЗахранващи ИС (IGBT/MOSFET) и RF модули.

Термомеханична устойчивост:Оптимизираната структурна цялост гарантира, че всяка пластина се държи последователно по време на екстремни цикли на обработка, от високо-температурна дифузия до механично обратно-шлайфане. Тази стабилност е критична за поддържанесуб{0}}микронна обща вариация на дебелината (TTV)и предотвратяване на счупване на пластини в автоматизирани 300 mm леярски линии.

Прецизност,-задвижвана от добива:Всеки субстрат е проектиран да отговаря и надхвърля строгите индустриални очаквания за-специфична плоскост (SFQR). Тази прецизност поддържа разширена дълбочина-на-фокус (DOF) в усъвършенствана фотолитография, пряко свързана със значително намаляване на отклонението на процеса и повишаване на надеждността на крайното устройство.

Популярни тагове: структура на силиконова пластина, Китай силициева структура на пластина производители, доставчици, фабрика